1N914B: 产品描述0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小171KB，共4页; 制造商TAITRON Components; 官网地址http://www.taitroncomponents.com/; 标准

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1N914B概述

0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, 75 V, 硅, 信号二极管, DO-35

1N914B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TAITRON Components
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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Switching Diode

1N914/1N914A/1N914B

Switching Diode

Features

•

Fast switching speed

Electrically indentical to standard JEDEC

High Conductance

Axial lead package ideally suited for automatic insertion

DO-35

Mechanical Data

•

Case: Molded Glass DO-35

Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Mounting position: Any

Approx. Weight: approx. 0.13 gram

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

=25°C unless otherwise specified

Symbol

RMS

FSM

TOT

Parameters

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

RMS Voltage

Maximum Average

Forward Current

Surge Forward Current

Power Dissipation

Maximum

Forward

Voltage

Min

Max

---

1.0 @

10mA

1N914

1N914A

100

150

500

---

1.0 @

20mA

5.0

0.62 @ 5mA

0.72 @ 5mA

1.0 @ 100mA

µA

at V

= 20V

at V

= 75V

VR=0, f=1MHz

IF=10mA to IR

=1mA, VR =6V,

RL=100Ω

°C

Volts

1N914B

Unit

at f

≥

50Hz

at tp< 1s

Condition

Maximum Leakage

Current

Maximum Capacitance

(Note 1)

Maximum Reverse

Recovery Time

Junction and Storage

Temperature Range

STG

-65 to +175

°C

TAITRON COMPONENTS INCORPORATED

www.taitroncomponents.com

Tel: (800)-247-2232

Fax: (800)-TAITFAX

(800)-TAITRON

(800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

Rev. B/NX 2007-08-31

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1N914B相似产品对比

	1N914B	1N914
描述	0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否Rohs认证	符合	符合
Reach Compliance Code	unknow	unknow
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	0.15 A	0.15 A
封装主体材料	GLASS	GLASS
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W	0.5 W
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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