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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2101(TE85L,F)
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RN2101(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小573KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2101(TE85L,F)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416

RN2101(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)30
元件数量1
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RN2101∼RN2106
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2101, RN2102, RN2103,
RN2104, RN2105, RN2106
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Fewer parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN1101~RN1106
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2101
RN2102
RN2103
RN2104
RN2105
RN2106
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
SSM
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4 mg (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2101~2106
RN2101~2106
RN2101~2104
RN2105, 2106
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
100
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2013-01-23

RN2101(TE85L,F)相似产品对比

RN2101(TE85L,F) RN2104(TE85L,F) RN2103(TE85L,F) RN2105(TE85L,F) RN2106(TE85L,F)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 30 80 70 80 80
元件数量 1 1 1 1 1
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 - - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)

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