电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

GDT100100

产品描述Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s)
产品类别电源管理    变压器   
文件大小59KB,共1页
制造商Hirel Systems Ltd
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GDT100100概述

Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s)

GDT100100规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用MOSFET GATE DRIVE
高度30.48 mm
绝缘电压3750 V
长度27.94 mm
制造商序列号GDT100100
安装特点THROUGH HOLE MOUNTED
功能数量1
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
包装方法TUBE
物理尺寸L27.94XB19.3XH30.48 (mm)
初级电感450000 µH
表面贴装NO
变压器类型PULSE TRANSFORMER
宽度19.3 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Toroidal Gate Drive Transformers
·
Deliver MOSFET / IGBT gate power and timing
signals simultaneously
·
Directly drive high-side MOSFETs / IGBTs on
busses up to 400V
·
Excellent risetime, overshoot, and peak current
characteristics
·
>8 mm minimum creepage and clearance from
drive to gates exceeds safety agency require-
ments for many common applications
·
UL class B (130ºC) insulation system
Model Selection Table
Useful
Freq. Range
(KHz)
25 ~ 125
50 ~ 250
50 ~ 250
50 ~ 250
100 ~ 500
100 ~ 500
100 ~ 500
Transfer
Ratio
1
(+/-3%)
1:1:1
1:1:1
1 : 1.5 : 1.5
1:2:2
1:1:1
1 : 1.2 : 1.2
1 : 1.5 : 1.5
Drive
Magnetizing
Leakage
Excitation Inductance
2, 3
Inductance
4
(μH MIN)
(μH MAX)
(V-μSMAX)
(V•m MAX)
S
(m MIN)
H
(m MAX)
H
320
3200
3.0
160
800
1.0
160
800
1.0
160
800
1.0
120
450
0.5
120
450
0.5
120
450
0.5
DC Resistance
2
Drive
Gates
(Ω MAX)
(Ω MAX)
(W MAX)
(W MAX)
0.52
0.52
0.26
0.26
0.26
0.39
0.26
0.52
0.17
0.17
0.17
0.20
0.18
0.25
Interwinding Capacitance
Drive-Gate
Gate-Gate
(pF MAX)
(pF MAX)
80
80
35
35
50
50
50
50
20
20
25
25
35
35
HiRel P/N
GDT 025 100
GDT 050 100
GDT 050 150
GDT 050 200
GDT 100 100
GDT 100 120
GDT 100 150
Absolute Maximum Ratings (All Models)
Parameter
Conditions
Dielectric Withstand Voltage Drive-gate; 1 min
Gate-gate; 1 min
Winding Current
Operating Temperature
Storage Temperature
1.
2.
3.
4.
Limit(s)
3750
2500
500
-40 ~ +85
-40 ~ +105
Units
VAC
VAC
mARMS
ºC
ºC
1.100 MAX
[27.94]
Any winding
Continuous
Continuous
1.200 MAX
[30.48]
Drive : Gate : Gate.
T
A
= 25°C.
Small-signal measurement across the Drive winding with both Gates open.
Small-signal measurement across the Drive winding with both Gates shorted.
0.53
0.025 SQR
[0.64] (6 PLS)
PACKING TUBE SPECIFICATIONS
MATERIAL: ANTISTATIC PVC
LENGTH: 17.00 +0 / -0.12 INCHES
CAPACITY: 15 UNITS / TUBE
1.53
0.700
[17.78]
1
2
0.150 MIN
[3.81]
1
DRIVE
2
1.12
6
5
GATES
4
3
0.600
[15.24]
6 5
4 3
0.760 MAX
[19.30]
0.650
[16.51]
0.850
[21.59]
0.200
[5.08]
Specifications are subject to change without notice.
Units are inches [mm].
Tolerance on all dimensions is +/ -0.010 [0.25] unless otherwise specified.
www.hirelsystems.com
Hi-Rel Systems, Inc.
11100 Wayzata Boulevard
Suite 501
Minnetonka, MN 55305
Phone: 952-544-1344
507-532-4200
Fax: 952-544-1345
507-532-4229
Date code 1026
sales@hirelsystems.com
engr@hirelsystems.com

GDT100100相似产品对比

GDT100100 GDT025100 GDT050100 GDT050150 GDT050200 GDT100120 GDT100150
描述 Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s) Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE MOSFET GATE DRIVE
高度 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm 30.48 mm
绝缘电压 3750 V 3750 V 3750 V 3750 V 3750 V 3750 V 3750 V
长度 27.94 mm 27.94 mm 27.94 mm 27.94 mm 27.94 mm 27.94 mm 27.94 mm
制造商序列号 GDT100100 GDT025100 GDT050100 GDT050150 GDT050200 GDT100120 GDT100150
安装特点 THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED THROUGH HOLE MOUNTED
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE
物理尺寸 L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm) L27.94XB19.3XH30.48 (mm)
初级电感 450000 µH 3200000 µH 800000 µH 800000 µH 800000 µH 450000 µH 450000 µH
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
变压器类型 PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER PULSE TRANSFORMER
宽度 19.3 mm 19.3 mm 19.3 mm 19.3 mm 19.3 mm 19.3 mm 19.3 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
别小看电源插座——电力设备的集中管理者
在我们看来电源插座已成生活和工作中不可短少的电力设备,也许往往因为电源的使用太为普遍化,常常会成为大家忽视的对像。也很少有人在电源插座上大做文章,在我们眼里电源插座无非就是个简单的 ......
电力娃 电源技术
高速PCB设计指南经典资料
高速PCB设计指南经典资料...
zqjqq88 PCB设计
分享一下用E金币买的两本书
电磁兼容的印制电路板设计是老师推荐的,感觉的确不错 还有一本科幻小说,扔在寝室了,盗个图贴上 最后,感谢版主maylove,谢谢论坛和TI 本帖最后由 ayu_ag 于 2012-11-29 06:44 编辑 ]...
ayu_ag 聊聊、笑笑、闹闹
C2000 Delfino MCU F28379D LaunchPad™ 开发套件
C2000™ Delfino™ MCU LaunchPad™ 开发套件是一种价格低廉的评估平台,可为设计人员提供适用于高性能数字控制应用的低成本开发套件。此工具为许多高端数字控制应用的开发提供 ......
Jacktang 微控制器 MCU
如何使一个整型变量的地址为0x0001,并将0x55aa赋给这个变量,使用指令完成
如何使一个整型变量的地址为0x0001,并将0x55aa赋给这个变量,使用指令完成...
weicunshang 嵌入式系统
【PSoC4心得】成功第一步之LED
板子在九月份就到手了,但是一直放到现在才开开始使用。板子确实很精致,http://files.chinaaet.com/images/blog/2013/10/15/5285019492568.jpg装上软件后按照开发板的说明书,将几个例程都下载 ......
dai277530706 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1726  2530  1470  372  1639  35  51  30  8  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved