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WS1M8V-25CI: 产品描述Standard SRAM, 1MX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32; 产品类别存储存储; 文件大小320KB，共5页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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WS1M8V-25CI概述

Standard SRAM, 1MX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e4
长度	42.4 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.13 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	GOLD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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