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SGA-6486Z: 产品描述Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, GREEN PACKAGE-4; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小368KB，共6页; 制造商Qorvo; 官网地址https://www.qorvo.com; 标准

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SGA-6486Z概述

Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, GREEN PACKAGE-4

SGA-6486Z规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code	unknown
特性阻抗	50 Ω
构造	COMPONENT
增益	18 dB
最大输入功率 (CW)	18 dBm
JESD-609代码	e3
安装特点	SURFACE MOUNT
功能数量	1
端子数量	4
最大工作频率	4500 MHz
最小工作频率
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SL,4GW-LD,.085CIR
电源	5.1 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	83 mA
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
端子面层	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches	1

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SGA-6486(Z)

DC to

4500MHz,

Cascadable

SiGe HBT

MMIC Ampli-

fier

SGA-6486(Z)

DC to 4500MHz, CASCADABLE SiGe HBT

MMIC AMPLIFIER

RFMD Green, RoHS Compliant, Pb-Free (Z Part Number)

Package: SOT-86

Product Description

The SGA-6486 is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-

ton configuration featuring one-micron emitters provides high F

and

excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown

voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of

emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-

lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an

optional RF choke are required for operation.

Optimum Technology

Matching® Applied

GaAs HBT

GaAs MESFET

SiGe BiCMOS

Si BiCMOS

SiGe HBT

GaAs pHEMT

Si CMOS

Si BJT

GaN HEMT

RF MEMS

Gain (dB)

Features

High Gain: 16.4dB at

1950MHz

Cascadable 50Ω

Operates from Single Supply

Low Thermal Resistance

Package

Applications

Gain & Return Loss vs. Frequency

= 5.1 V, I

= 75 mA (Typ.)

-10

-20

Return Loss (dB)

GAIN

InGaP HBT

ORL

IRL

PA Driver Amplifier

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

Wireless Data, Satellite

=+25ºC

-30

-40

Frequency (GHz)

Parameter

Small Signal Gain

Min.

18.0

Specification

Typ.

19.7

16.4

14.8

20.2

18.5

35.0

32.0

4500

Max.

22.0

Unit

dBm

MHz

850MHz

1950MHz

2400MHz

850MHz

1950MHz

850MHz

1950MHz

>10dB

Condition

Output Power at 1dB Compression

Output Third Intercept Point

Bandwidth Determined by Return

Loss

Input Return Loss

21.4

1950MHz

Output Return Loss

18.0

1950MHz

Noise Figure

3.3

1950MHz

Device Operating Voltage

4.7

5.1

5.5

Device Operating Current

Thermal Resistance

°C/W

(Junction - Lead)

Test Conditions: V

=8V, I

=75mA Typ., OIP

Tone Spacing=1MHz, P

OUT

per tone=0dBm, R

BIAS

=39Ω, T

=25°C, Z

=50Ω

RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-

mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.

EDS-100615 Rev G

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

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SGA-6486Z相似产品对比

	SGA-6486Z	SGA-6486
描述	Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, GREEN PACKAGE-4	Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 4500MHz Max, 1 Func, BIPolar, SOT-86, 4 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合
包装说明	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code	unknown	unknown
特性阻抗	50 Ω	50 Ω
构造	COMPONENT	COMPONENT
增益	18 dB	18 dB
最大输入功率 (CW)	18 dBm	18 dBm
JESD-609代码	e3	e0
安装特点	SURFACE MOUNT	SURFACE MOUNT
功能数量	1	1
端子数量	4	4
最大工作频率	4500 MHz	4500 MHz
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SL,4GW-LD,.085CIR	SL,4GW-LD,.085CIR
电源	5.1 V	5.1 V
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	83 mA	83 mA
表面贴装	YES	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR
端子面层	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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