电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

VM28XS

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

VM28XS概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon,

VM28XS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度135 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流0.8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流0.000005 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 180  736  879  957  1542 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved