Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.4 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 25 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 135 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
最大输出电流 | 0.8 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 200 V |
最大反向电流 | 0.000005 µA |
最大反向恢复时间 | 0.2 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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