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H8550

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小23KB,共1页
制造商ETC
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H8550概述

NPN SILICON TRANSISTOR

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汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
对应½外型号
S8550
H8550
█ 芯片简介
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:A063AJ-00-XXX
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:600×600µm
2
焊½尺寸:B 极
130×150µm;E
140×130µm
电极金属:铝
背面金属:金
封装½式:TO-92
█ 芯片图
█ 极限值
(T
a
=25℃)
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
P
C
——集电极耗散功率…………………………………
1W
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………-40V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………-25V
V
EBO
——发射极—基极电压………………………………-6V
I
C
——集电极电流………………………………………-1.5A
█ 电参数
(T
a
=25℃)
参数符号
ICBO
IEBO
HFE
VBE(ON)
VCE(sat)
VBE(sat)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
fT
最小值
典型值
最大值
-0.1
-0.1
85
40
基极—发射极导通电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
40
25
6
100
-1.0
-0.5
-1.2
V
V
V
V
V
V
MHz
500
单 ½
μA
μA
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCB=-35V, IE=0
VEB=-6V, IC=0
VCE=-1V, IC=-100mA
VCE=-1V, IC=-800mA
VCE=-1V, IC=-10mA
IC=-800mA, IB=-80mA
IC=-800mA, IB=-80mA
IC=-100μA,IE=0
IC=-2mA,IB=0
IE=-100μA,IC=0
VCE=-10V, IC=-50mA
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哪位提供以下,新手不知道怎么写...
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