Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYS72T64400HFN-3S-B

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HYS72T64400HFN-3S-B: 产品描述DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共47页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYS72T64400HFN-3S-B概述

DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240

HYS72T64400HFN-3S-B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e4
内存密度	4831838208 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	64MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5,1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
端子面层	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
Base Number Matches	1

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June 2007

HYS72T64400HFN–[2.5/3S/3.7]–B

HYS72T128420HFN–[2.5/3S/3.7]–B

HYS72T256420HFN–[2.5/3S/3.7]–B

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HYS72T64400HFN-3S-B相似产品对比

	HYS72T64400HFN-3S-B	HYS72T128420HFN-3S-B	HYS72T256420HFN-3S-B	HYS72T64400HFN-2.5-B	HYS72T128420HFN-2.5-B	HYS72T256420HFN-2.5-B
描述	DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240	DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240	DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240	DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	333 MHz	333 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4
内存密度	4831838208 bit	9663676416 bit	19327352832 bit	4831838208 bit	9663676416 bit	19327352832 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240
字数	67108864 words	134217728 words	268435456 words	67108864 words	134217728 words	268435456 words
字数代码	64000000	128000000	256000000	64000000	128000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	64MX72	128MX72	256MX72	64MX72	128MX72	256MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)	Gold (Au)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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