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HYS72T256420HFN-3S-B

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240
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文件大小3MB,共47页
制造商QIMONDA
标准
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HYS72T256420HFN-3S-B概述

DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240

HYS72T256420HFN-3S-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织256MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5,1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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June 2007
HYS72T64400HFN–[2.5/3S/3.7]–B
HYS72T128420HFN–[2.5/3S/3.7]–B
HYS72T256420HFN–[2.5/3S/3.7]–B
240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules
DDR2 SDRAM
RoHS Compliant Products
Internet Data Sheet
Rev.1.20

HYS72T256420HFN-3S-B相似产品对比

HYS72T256420HFN-3S-B HYS72T128420HFN-3S-B HYS72T64400HFN-2.5-B HYS72T64400HFN-3S-B HYS72T128420HFN-2.5-B HYS72T256420HFN-2.5-B
描述 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, DIMM-240
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 333 MHz 400 MHz 333 MHz 400 MHz 400 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4
内存密度 19327352832 bit 9663676416 bit 4831838208 bit 4831838208 bit 9663676416 bit 19327352832 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240
字数 268435456 words 134217728 words 67108864 words 67108864 words 134217728 words 268435456 words
字数代码 256000000 128000000 64000000 64000000 128000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 256MX72 128MX72 64MX72 64MX72 128MX72 256MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.5,1.8 V 1.5,1.8 V 1.5,1.8 V 1.5,1.8 V 1.5,1.8 V 1.5,1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
安全应急灯
:loveliness:...
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