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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UPA814T-T1KB
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UPA814T-T1KB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB，共10页
制造商NEC(日电)
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UPA814T-T1KB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6

UPA814T-T1KB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC, SO-6
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.85 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)9000 MHz
Base Number Matches1

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PRELIMINARY DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
µ
PA814T
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2
×
2SC5193) SMALL MINI MOLD
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion
• Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 2 GHz
NF = 1.7 dB TYP. @V
CE
= 1 V, I
C
= 3 mA, f = 2 GHz
• Large Absolute Maximum Collector Current
I
C
= 100 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2
×
2SC5193)
PACKAGE DRAWINGS
(Unit: mm)
2.1 ±0.1
1.25 ±0.1
0.65 0.65
2.0 ±0.2
1.3
2
3
ORDERING INFORMATION
0.9 ±0.1
PART NUMBER
QUANTITY
Loose products
(50 PCS)
PACKING STYLE
Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1
Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)
face to perforation side of the tape.
0.7
µ
PA814T
4
5
µ
PA814T-T1
Taping products
(3 KPCS/Reel)
Remark
If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales
Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)
PIN CONFIGURATION (Top View)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
PARAMETER
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
RATING
9
6
2
100
150 in 1 element
200 in 2 elements
Note
150
–65 to +150
UNIT
V
6
Q1
5
0 to 0.1
4
Q2
V
V
mA
mW
1
2
3
Junction Temperature
Storage Temperature
T
j
T
stg
˚C
˚C
PIN CONNECTIONS
1. Collector (Q1)
4. Emitter (Q2)
2. Base (Q2)
5. Emitter (Q1)
3. Collector (Q2)
6. Base (Q1)
Note
110 mW must not be exceeded in 1 element.
This device uses radio frequency technology. Take due precautions to protect it from excessive input levels such as static electricity.
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. P11467EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 1996 P
Printed in Japan
©
0.15
+0.1
–0
0.2
+0.1
–0
1
6
XY
1995

UPA814T-T1KB相似产品对比

UPA814T-T1KB UPA814T-T1KB-A UPA814T-KB-A UPA814T-KB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SO-6
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
包装说明 PLASTIC, SO-6 PLASTIC, SO-6 PLASTIC, SO-6 PLASTIC, SO-6
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 0.85 pF 0.85 pF 0.85 pF 0.85 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V 6 V 6 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 L BAND L BAND L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e6 e6 e0
元件数量 2 2 2 2
端子数量 6 6 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 10 10 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz 9000 MHz
厂商名称 - NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)

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