IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,8-BIT,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N20 |
| 负载电容(CL) | 300 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I(ol) | 0.008 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 55 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| Base Number Matches | 1 |
| MR82C82/883 | MD82C82/883 | |
|---|---|---|
| 描述 | IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,8-BIT,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC | IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,8-BIT,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC |
| 包装说明 | QCCN, LCC20,.35SQ | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N20 | R-XDIP-T20 |
| 负载电容(CL) | 300 pF | 300 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 最大I(ol) | 0.008 A | 0.008 A |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 20 | 20 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC20,.35SQ | DIP20,.3 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 55 ns | 55 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
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