8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
8 A, 400 V, 硅, 桥式整流二极管
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
元件数量 | 4 |
最大平均输入电流 | 8 A |
加工封装描述 | CASE KBU, 4 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | DISCONTINUED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | 线 |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 桥, 4 ELEMENTS |
壳体连接 | 隔离 |
二极管元件材料 | 硅 |
最大功耗极限 | 6.9 W |
二极管类型 | 桥式整流二极管 |
相数 | 1 |
最大重复峰值反向电压 | 400 V |
最大非重复峰值正向电流 | 300 A |
KBU8G | KBU8B | KBU8A | KBU8D | KBU8M | KBU8K | KBU8J | |
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描述 | 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 5.6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | DIODE BRIDGE 800V 8A KBU | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
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