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1.5KE8.2C

产品描述保护瞬态电压抑制器
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1.5KE8.2C概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称:保护瞬态电压抑制器


产品型号:1.5KE8.2C


产品参数:


Power Dissipation功耗:Ppp:1500W


Reverse Stand-off Voltage反向电压:VRWM:6.63V


Breakdown Voltage击穿电压:VBR@IT:Min:7.38V,Max:9.02V


Test Current:IT:10mA


Reverse Leakage反向漏:IR@VRWM:UNI:400μA,


Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp:12.5V


Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp:120A



封装:DO-201AE



1.5KE8.2C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-201AE
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最大击穿电压9.02 V
最小击穿电压7.38 V
击穿电压标称值8.2 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压12.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-201AE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压6.63 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
关于低功耗设计的一个案例
[font=微软雅黑][color=#ff0000][backcolor=rgb(204, 232, 207)][img]http://www.miractech.com/Upload/20151123001530yZDR.png[/img][img]http://www.miractech.com/Upload/20151123001531KcEb.png[/img][/backcolor][/...
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