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BR81

产品描述8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小63KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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BR81概述

8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR805---BR810
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 8.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to 125 Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 6 screw
mounting
BR8
.520(13.21)
.480(12.19)
.150
.140
.770(19.558)
.730(18.542)
.055(1.40)
.047(1.20)
.750(19.1)MIN
.275± .025
(6.99± .64)
Polarity shown on side of case;
Positive lead by beveled corner.
inch(mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR805 BR81
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR82 BR84
200
140
200
400
280
400
8.0
BR86 BR88 BR810
UNITS
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at
4.0
A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
125.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287036
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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