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BRF90G

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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BRF90G概述

Transistor

BRF90G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
针数3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.03 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.18 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
BFR90
BRF90G
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA
Low Noise Figure – NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz
High Power Gain – Gmax = 18dB (typ) @ f = 0.5 GHz
Macro T
(STYLE #2)
DESCRIPTION:
Designed primarily for use in high-gain, low noise, small-signal amplifiers. Also used in
applications requiring fast switching times.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
15
20
3.0
30
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TA = 60ºC
Derate above 60ºC
180
2.0
mWatts
mW/ ºC
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.
Rev A 9/2005

BRF90G相似产品对比

BRF90G
描述 Transistor
是否Rohs认证 符合
针数 3
Reach Compliance Code compliant
最大集电极电流 (IC) 0.03 A
配置 Single
最小直流电流增益 (hFE) 25
极性/信道类型 NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.18 W
表面贴装 YES
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