K7P803666M-HC210,K7P803666M-HC210 pdf中文资料,K7P803666M-HC210引脚图,K7P803666M-HC210电路-Datasheet-电子工程世界

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K7P803666M-HC210: 产品描述Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小314KB，共13页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K7P803666M-HC210概述

Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119

K7P803666M-HC210规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.65 V
最小供电电压 (Vsup)	2.35 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

K7P803666M-HC210相似产品对比

	K7P803666M-HC210	K7P801866M-H21	K7P801866M-HC200	K7P803666M-HC250	K7P803666M-HC200	K7P803666M-H25	K7P801866M-H20	K7P801866M-HC250
描述	Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Standard SRAM, 512KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 512KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Standard SRAM, 256KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119	Standard SRAM, 256KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 512KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 512KX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA, BGA119,7X17,50	BGA,	BGA,	BGA,	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA,
针数	119	119	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	2 ns	2 ns	2.5 ns	2 ns	2.5 ns	2 ns	2.5 ns	2 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	36	18	18	36	36	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119	119	119
字数	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words
字数代码	256000	512000	512000	256000	256000	256000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36	256KX36	512KX18	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.65 V	2.65 V	2.65 V	2.65 V	2.65 V	2.65 V	2.65 V	2.65 V
最小供电电压 (Vsup)	2.35 V	2.35 V	2.35 V	2.35 V	2.35 V	2.35 V	2.35 V	2.35 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	-	PIPELINED ARCHITECTURE
峰值回流温度（摄氏度）	225	-	225	225	225	-	-	225
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	30	30	-	-	30
厂商名称	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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