1N5400: 产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小31KB，共2页; 制造商HY Electronic; 官网地址http://www.hygroup.com.tw

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1N5400概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 50 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5400规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	HY Electronic
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JEDEC-95代码	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向电流	5 µA
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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1N5400 thru 1N5408

PLASTIC SILICON RECTIFIERS

REVERSE VOLTAGE

- 50

1000

Volts

FORWARD CURRENT

- 3.0

Amperes

DO- 27

FEATURES

●

Low cost

●

Diffused junction

●

Low forward voltage drop

●

Low reverse leakage current

●

High current capability

●

The plastic material carries UL recognition 94V-0

.052(1.3)

DIA.

.048(1.2)

1.0(25.4)

.375(9.5)

.335(8.5)

210

MECHANICAL DATA

●

Case: JEDEC DO-27 molded plastic

●

Polarity: Color band denotes cathode

●

Weight: 0.04 ounces , 1.1grams

●

Mounting position: Any

.220(5.6)

DIA.

.197(5.0)

1.0(25.4)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward

Rectified Current

Peak Forward Surge Current

8.3ms Single Half Sine-Wave

Supe Imposed on Rated Load(JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at 3.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

=25℃

=100℃

=55

℃

SYMBOL

RRM

RMS

(AV)

5400

5401

100

5402

200

140

200

5403

300

210

300

5404

400

280

400

3.0

5405

500

350

500

5406

600

420

600

5407

800

560

800

5408

1000

700

1000

UNIT

FSM

θJA

STG

200

1.2

5.0

-55 to +125

-55 to +150

℃/W

℃

NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC

2.Thermal resistance junction of ambient.

~ 15 ~

1N5400相似产品对比

	1N5400	1N5401	1N5402	1N5403
描述	3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD	3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
厂商名称	HY Electronic	HY Electronic	HY Electronic	HY Electronic
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V
JEDEC-95代码	DO-27	DO-27	DO-27	DO-27
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	200 A	200 A	200 A	200 A
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	50 V	100 V	200 V	300 V
最大反向电流	5 µA	5 µA	5 µA	5 µA
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL

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