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1N5401

产品描述3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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1N5401概述

3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 100 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5401规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N5400 thru 1N5408
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 3.0
Amperes
DO- 27
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage current
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
.052(1.3)
DIA.
.048(1.2)
1.0(25.4)
MI
.375(9.5)
.335(8.5)
210
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-27 molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.04 ounces , 1.1grams
Mounting position: Any
.220(5.6)
DIA.
.197(5.0)
1.0(25.4)
MI
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Supe Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=55
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
1N
5400
50
35
50
1N
5401
100
70
100
1N
5402
200
140
200
1N
5403
300
210
300
1N
5404
400
280
400
3.0
1N
5405
500
350
500
1N
5406
600
420
600
1N
5407
800
560
800
1N
5408
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
50
200
1.2
5.0
50
35
15
-55 to +125
-55 to +150
A
V
uA
pF
℃/W
NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
2.Thermal resistance junction of ambient.
~ 15 ~

1N5401相似产品对比

1N5401 1N5402 1N5403 1N5400
描述 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic HY Electronic
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 1 1 1 1
相数 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 100 V 200 V 300 V 50 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

 
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