1N4001G: 产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小32KB，共2页; 制造商HY Electronic; 官网地址http://www.hygroup.com.tw

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1N4001G概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1 A, 50 V, 硅, 信号二极管, DO-204AL

1N4001G规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	HY Electronic
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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1N4001G thru 1N4007G

GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

REVERSE VOLTAGE

- 50

1000

Volts

FORWARD CURRENT

- 1.0

Amperes

DO- 41

FEATURES

●

Low cost

●

Diffused junction

●

Low forward voltage drop

●

Low reverse leakage current

●

High current capability

●

The plastic material carries UL recognition 94V-0

1.0(25.4)

MIN.

.034(0.9)

DIA

.028(0.7)

.205(5.2)

MAX

.107(2.7)

DIA

.080(2.0)

1.0(25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

●

Case: JEDEC DO-41 molded plastic

●

Polarity: Color band denotes cathode

●

Weight: 0.012 ounces , 0.34 grams

●

Mounting position :Any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward

Rectified Current

Peak Forward Surge Current

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed On Rated Load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at 1.0A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

=25℃

=100℃

=75

℃

SYMBOL 1N4001G 1N4002G 1N4003G 1N4004G 1N4005G 1N4006G 1N4007G

RRM

RMS

(AV)

100

200

140

200

400

280

400

1.0

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

UNIT

FSM

θJC

STG

1.1

5.0

-55 to +150

-65 to +175

℃/W

℃

NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC

2.Thermal resistance junction of ambient .375“(9.5mm) lead length

~19 ~

1N4001G相似产品对比

	1N4001G	1N4003G	1N4004G	1N4002G
描述	1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL	SIGNAL DIODE	1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41	SIGNAL DIODE
厂商名称	HY Electronic	HY Electronic	HY Electronic	HY Electronic
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	50 V	200 V	400 V	100 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
包装说明	O-PALF-W2	-	O-PALF-W2	O-PALF-W2

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