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FHR2116

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共2页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHR2116概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FHR2116规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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广东肇庆风华新谷微电子有限公司
广东省肇庆市风华路
18
号风华电子工业城三号楼一楼
TEL:0758-2865088 2865091
FAX:0758-2849749
Resistive Transistors
带阻三极管
PNP Silicon (FHRA110/FHR2116)
MAXIMUM RATINGS
(T
a
=25℃)
最大额定值
CHARACTERISTIC
特性参数
Collector-Base Voltage
集电极-基极电压
Collector-Emitter Voltage
集电极-发射极电压
Emitter-Base Voltage
发射极-基极电压
Collector Current—Continuous
集电极电流-连续
Collector Power Dissipation
集电极耗散功率
Junction Temperature
结温
Storage Temperature Range
储存温度
Symbol
符号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
C
T
j
T
stg
Rating
额定值
-50
-50
-5.0
-100
300
150
-55½150
Unit
单½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
DEVICE MARKING
打标
FHRA110=PK
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电特性
(T
A
=25
unless otherwise noted
如无特殊说明,温度为
25
)
Characteristic
特性参数
Collector Cutoff Current
集电极截止
电流
Emitter Cutoff Current
发射极截止电
DC Current Gain
直流电流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集电极-发射极饱和压降
Transition Frequency
特征频率
Input Resistance
输入电阻
Symbol
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
R
1
Test Condition
测试条件
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-1 mA
I
C
=-10mA,I
B
=-0.5mA
V
CE
=-10V,I
C
=-5mA
Min
120
3.29
TYP
典型
-0.1
250
4.7
Max
-0.1
-0.1
-0.3
6.11
Unit
½
μA
μA
V
MHz
Page 0 of
3
*2005
年第
2
版*
All Rights Reserved
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