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LH2003J: 产品描述LH2003J放大器基础信息： LH2003J是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3 LH2003J放大器核心信息： LH2003J的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：25 µA 如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LH2003J的标称压摆率有400 V/us。厂商给出的LH2003J的最大压摆率为15 mA，而最小压摆率为600 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LH2003J增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为100 MHz。 LH2003J的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LH2003J的输入失调电压为50000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LH2003J的宽度为：7.62 mm。 LH2003J的相关尺寸： LH2003J拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。 LH2003J放大器其他信息：其温度等级为：MILITARY。LH2003J不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LH2003J的封装代码是：DIP。 LH2003J封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2003J封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小406KB，共6页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 器件替换：LH2003J替换放大器

敬请期待详细参数选型对比

LH2003J概述

LH2003J放大器基础信息：

LH2003J是一款BUFFER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

LH2003J放大器核心信息：

LH2003J的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为：25 µA

如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，LH2003J的标称压摆率有400 V/us。厂商给出的LH2003J的最大压摆率为15 mA，而最小压摆率为600 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，LH2003J增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为100 MHz。

LH2003J的标称供电电压为15 V，其对应的标称负供电电压为-15 V。LH2003J的输入失调电压为50000 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）LH2003J的宽度为：7.62 mm。

LH2003J的相关尺寸：

LH2003J拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为2.54 mm。

LH2003J放大器其他信息：

其温度等级为：MILITARY。LH2003J不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为：R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为：e0。LH2003J的封装代码是：DIP。

LH2003J封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。LH2003J封装引脚的形式有：IN-LINE。其端子形式有：THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。

LH2003J规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
放大器类型	BUFFER
标称带宽 (3dB)	100 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	25 µA
最大输入失调电压	50000 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8
JESD-609代码	e0
负供电电压上限	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最小输出电流	0.105 A
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	+-15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最小摆率	600 V/us
标称压摆率	400 V/us
最大压摆率	15 mA
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	HYBRID
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

LH2003J相似产品对比

	LH2003J	LH2003CJ	LH2003CN	LH2003CH
描述	BUFFER AMPLIFIER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8	BUFFER AMPLIFIER, CDIP8	BUFFER AMPLIFIER, PDIP8, PLASTIC, DIP-8	BUFFER AMPLIFIER, MBCY8
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	TO-5, CAN8,.2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	BUFFER	BUFFER	BUFFER	BUFFER
标称带宽 (3dB)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	25 µA	25 µA	25 µA	25 µA
最大输入失调电压	50000 µV	50000 µV	50000 µV	50000 µV
JESD-30 代码	R-GDIP-T8	R-GDIP-T8	R-PDIP-T8	O-MBCY-W8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
负供电电压上限	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
最小输出电流	0.105 A	0.105 A	0.105 A	0.105 A
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	METAL
封装代码	DIP	DIP	DIP	TO-5
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	CAN8,.2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CYLINDRICAL
电源	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小摆率	600 V/us	600 V/us	600 V/us	600 V/us
标称压摆率	400 V/us	400 V/us	400 V/us	400 V/us
最大压摆率	15 mA	15 mA	15 mA	15 mA
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	HYBRID	HYBRID	HYBRID	HYBRID
温度等级	MILITARY	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	WIRE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	-
Base Number Matches	1	1	1	-

LH2003J

LH2003J概述

LH2003J规格参数

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