SP1651DG放大器基础信息:
SP1651DG是一款COMPARATOR。常用的包装方式为DIP,
SP1651DG放大器核心信息:
SP1651DG的最低工作温度是-30 °C,最高工作温度是85 °C。他的最大平均偏置电流为40 µA
提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。SP1651DG仅需3 ns即可完成响应。
SP1651DG的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5.2 V。SP1651DG的宽度为:7.62 mm。
SP1651DG的相关尺寸:
SP1651DG拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16
SP1651DG放大器其他信息:
其温度等级为:OTHER。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。SP1651DG的封装代码是:DIP。SP1651DG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。SP1651DG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
SP1651DG放大器基础信息:
SP1651DG是一款COMPARATOR。常用的包装方式为DIP,
SP1651DG放大器核心信息:
SP1651DG的最低工作温度是-30 °C,最高工作温度是85 °C。他的最大平均偏置电流为40 µA
提及放大器的敏感性,最适合的莫过于标称响应时间。SP1651DG仅需3 ns即可完成响应。
SP1651DG的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5.2 V。SP1651DG的宽度为:7.62 mm。
SP1651DG的相关尺寸:
SP1651DG拥有16个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。共有针脚:16
SP1651DG放大器其他信息:
其温度等级为:OTHER。其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T16。其对应的的JESD-609代码为:e0。SP1651DG的封装代码是:DIP。SP1651DG封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。
而其封装形状为RECTANGULAR。SP1651DG封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。座面最大高度为5.08 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 40 µA |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5.2 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 输出类型 | OPEN-EMITTER |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 3 ns |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |

| SP1651DG | SP1650DG | |
|---|---|---|
| 描述 | DUAL COMPARATOR, 3ns RESPONSE TIME, CDIP16, DG-16 | DUAL COMPARATOR, 3.5ns RESPONSE TIME, CDIP16, DG-16 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, | DIP, |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | COMPARATOR | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 40 µA | 10 µA |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T16 | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5.2 V | -5.2 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C | -30 °C |
| 输出类型 | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 3 ns | 3.5 ns |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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