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HYB18T512800BF-3S

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-60
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文件大小5MB,共134页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB18T512800BF-3S概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-60

HYB18T512800BF-3S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度10.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度10 mm
Base Number Matches1

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Data Sheet, Rev. 1.04, Feb. 2006
Cover Page
HYB18T512400BF
HYB18T512800BF
HYB18T512160BF
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
DDR2 SDRAM
RoHS Compliant Products
Memory Products

 
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