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SMJ5C1008-20HMMT

产品描述128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32
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文件大小418KB,共12页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SMJ5C1008-20HMMT概述

128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32

SMJ5C1008-20HMMT规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DLCC
包装说明SON,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
其他特性LOW POWER STANDBY MODE
JESD-30 代码R-CDSO-N32
长度20.955 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

SMJ5C1008-20HMMT相似产品对比

SMJ5C1008-20HMMT SMJ5C1008-25HMMT SMJ5C1008-20HMM SMJ5C1008-20JDCM SMJ5C1008-25JDCM SMJ5C1008-25HMM
描述 128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32 128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32 128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32 128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CDSO32, CERAMIC, LCC-32
零件包装代码 DLCC DLCC DLCC DIP DIP DLCC
包装说明 SON, SON, SON, SOLCC32,.4 DIP, DIP32,.4 DIP, DIP32,.4 SON, SOLCC32,.4
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 25 ns 20 ns 20 ns 25 ns 25 ns
其他特性 LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE LOW POWER STANDBY MODE
JESD-30 代码 R-CDSO-N32 R-CDSO-N32 R-CDSO-N32 R-CDIP-T32 R-CDIP-T32 R-CDSO-N32
长度 20.955 mm 20.955 mm 20.955 mm 40.645 mm 40.645 mm 20.955 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 SON SON SON DIP DIP SON
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 4.57 mm 4.57 mm 2.54 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
是否Rohs认证 - - 不符合 不符合 不符合 不符合
I/O 类型 - - COMMON COMMON COMMON COMMON
输出特性 - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - - SOLCC32,.4 DIP32,.4 DIP32,.4 SOLCC32,.4
峰值回流温度(摄氏度) - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - - 5 V 5 V 5 V 5 V
筛选级别 - - 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 - - 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 - - 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 - - 0.15 mA 0.15 mA 0.14 mA 0.14 mA
处于峰值回流温度下的最长时间 - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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