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KMM332V803BS-L6

产品描述Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS
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文件大小216KB,共8页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM332V803BS-L6概述

Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS

KMM332V803BS-L6规格参数

参数名称属性值
包装说明DIMM, DIMM72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N72
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度31.75 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0012 A
最大压摆率0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

KMM332V803BS-L6相似产品对比

KMM332V803BS-L6 KMM332V803BS-L5
描述 Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS Fast Page DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS
包装说明 DIMM, DIMM72 DIMM, DIMM72
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N72 R-XDMA-N72
内存密度 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 72 72
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX32 8MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM72 DIMM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 31.75 mm 31.75 mm
自我刷新 YES YES
最大待机电流 0.0012 A 0.0012 A
最大压摆率 0.44 mA 0.48 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
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