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NM93CS56LZEN

产品描述IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小382KB,共14页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NM93CS56LZEN概述

IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM

NM93CS56LZEN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性USER DEFINED WRITE PROTECTED AREA; DATA RETENTION = 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

NM93CS56LZEN相似产品对比

NM93CS56LZEN NM93CS06LZEN BV-SMAJ6.5A NM93CS46LZEN
描述 IC 128 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM IC 16 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM Transient Voltage Suppressor IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Programmable ROM
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
包装说明 PLASTIC, DIP-8 DIP, DIP8,.3 - DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 USER DEFINED WRITE PROTECTED AREA; DATA RETENTION = 40 YEARS USER DEFINED WRITE PROTECTED AREA; DATA RETENTION = 40 YEARS - USER DEFINED WRITE PROTECTED AREA; DATA RETENTION = 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz 0.25 MHz - 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 - 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 - R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0 - e0
长度 9.817 mm 9.817 mm - 9.817 mm
内存密度 2048 bit 256 bit - 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM - EEPROM
内存宽度 16 16 - 16
功能数量 1 1 - 1
端子数量 8 8 - 8
字数 128 words 16 words - 64 words
字数代码 128 16 - 64
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 128X16 16X16 - 64X16
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP - DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 - DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE - IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL - SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 3/5 V 3/5 V - 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm - 5.08 mm
串行总线类型 MICROWIRE MICROWIRE - MICROWIRE
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A - 0.000001 A
最大压摆率 0.001 mA 0.001 mA - 0.001 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 NO NO - NO
技术 CMOS CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm - 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 15 ms 15 ms - 15 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE
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