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SFT12GA1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小372KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SFT12GA1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

SFT12GA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

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SFT11G thru SFT18G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- High efficiency, low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated Super Fast Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
TS-1
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
0.2g (approximately)
TS-1
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
20
100
- 55 to +150
- 55 to +150
0.95
5
100
35
10
O
SFT
11G
50
35
50
SFT
12G
100
70
100
SFT
13G
150
105
150
SFT
14G
200
140
200
1
30
SFT
15G
300
210
300
SFT
16G
400
280
400
SFT
17G
500
350
500
SFT
18G
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1312029
Version: H13
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