OM6214SST: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小43KB，共4页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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OM6214SST概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6

OM6214SST规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-P6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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OM6214SS OM6216SS

OM6215SS OM6217SS

TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC

ISOLATED SIP PACKAGE

100V Thru 500V, Dual High Current,

N-Channel MOSFETs

FEATURES

•

Two Isolated MOSFETs In A Hermetic Metal Package

Fast Switching, Low Drive Current

Ease of Paralleling For Added Power

Low R

DS(on)

Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

DESCRIPTION

This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET

and packaging technology. They are ideally suited for Military requirements where

small size, high performance and high reliability are required, and in applications

such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers and high energy pulse circuits.

MAXIMUM RATINGS

PART NUMBER

OM6214SS

OM6215SS

OM6216SS

OM6217SS

100V

200V

400V

500V

DS(ON)

.065

.095

D(MAX)

30A

25A

15A

13A

3.1

SCHEMATIC

CONNECTION DIAGRAM

FET#1

FET#2

4 11 R4

Supersedes 1 07 R3

3.1 - 109

OM6214SST相似产品对比

	OM6214SST	OM6214SS	OM6214SSV	OM6215SS	OM6215SSV	OM6216SS	OM6217SS	OM6217SST	OM6217SSV
描述	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	unknown	compliant	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	200 V	200 V	400 V	500 V	500 V	500 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	30 A	30 A	25 A	25 A	15 A	13 A	13 A	13 A
最大漏源导通电阻	0.065 Ω	0.065 Ω	0.065 Ω	0.095 Ω	0.095 Ω	0.3 Ω	0.4 Ω	0.4 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6
元件数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6	6	6	6	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	225	225	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	140 A	140 A	140 A	100 A	100 A	60 A	52 A	52 A	52 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	含铅	-	含铅	-	含铅	-	-	含铅	含铅
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	-	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	-	-	e0	e0
端子面层	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	-	-	TIN LEAD	TIN LEAD
针数	-	6	-	6	6	6	6	6	6
厂商名称	-	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）

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