64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 90 ns |
其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
备用内存宽度 | 8 |
启动块 | BOTTOM |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 67108864 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 8,127 |
端子数量 | 63 |
字数 | 4194304 words |
字数代码 | 4000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 4MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA63,8X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/3.3 V |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.2 mm |
部门规模 | 8K,64K |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 7 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved