IDT71V65703S75BG8,IDT71V65703S75BG8 pdf中文资料,IDT71V65703S75BG8引脚图,IDT71V65703S75BG8电路-Datasheet-电子工程世界

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IDT71V65703S75BG8: 产品描述ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小491KB，共26页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V65703S75BG8概述

ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119

IDT71V65703S75BG8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50
针数	119
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm
最大待机电流	0.04 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT71V65703S75BG8相似产品对比

	IDT71V65703S75BG8	IDT71V65703S85BG8	IDT71V65903S80BG8	IDT71V65903S75PFI8	IDT71V65703S80BG8	IDT71V65903S75PF8	IDT71V65903S75BG8
描述	ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119	ZBT SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	QFP	BGA	QFP	BGA
包装说明	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100	BGA, BGA119,7X17,50	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-136DJ, PLASTIC, TQFP-100	14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119
针数	119	119	119	100	119	100	119
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	7.5 ns	8.5 ns	8 ns	7.5 ns	8 ns	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	90 MHz	95 MHz	100 MHz	95 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	22 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	22 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	36	36	18	18	36	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	100	119	100	119
字数	262144 words	262144 words	524288 words	524288 words	262144 words	524288 words	524288 words
字数代码	256000	256000	512000	512000	256000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	256KX36	512KX18	512KX18	256KX36	512KX18	512KX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	LQFP	BGA	LQFP	BGA
封装等效代码	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	240	225	240	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.6 mm	2.36 mm	1.6 mm	2.36 mm
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.06 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.275 mA	0.225 mA	0.25 mA	0.295 mA	0.25 mA	0.275 mA	0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V65703S75BG8

IDT71V65703S75BG8概述

IDT71V65703S75BG8规格参数

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