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HFA3046B96

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-012AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小223KB,共9页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HFA3046B96概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-012AB

HFA3046B96规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.037 A
集电极-发射极最大电压8 V
配置COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)40
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码MS-012AB
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e0
元件数量5
端子数量14
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

HFA3046B96相似产品对比

HFA3046B96 HFA3096B96 HFA3128B96 HFA3127B96
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-012AB RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN and PNP, MS-012AC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, MS-012AC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.037A I(C), 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-012AC
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.037 A 0.037 A 0.037 A 0.037 A
集电极-发射极最大电压 8 V 8 V 8 V 8 V
配置 COMPLEX SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS SEPARATE, 5 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 20 40
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 MS-012AB MS-012AC MS-012AC MS-012AC
JESD-30 代码 R-PDSO-G14 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 5 5 5 5
端子数量 14 16 16 16
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN AND PNP PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8000 MHz 8000 MHz 5500 MHz 8000 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
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