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2SK2912

产品描述40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SK2912概述

40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2SK2912规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

2SK2912相似产品对比

2SK2912 2SK2912S 2SK2912L
描述 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 - 3 3
最小击穿电压 - 60 V 60 V
加工封装描述 - LDPAK-3 LDPAK-3
状态 - ACTIVE ACTIVE
包装形状 - 矩形的 矩形的
包装尺寸 - IN-线 IN-线
端子形式 - THROUGH-孔 THROUGH-孔
端子涂层 - 锡 铅 锡 铅
端子位置 - 单一的 单一的
包装材料 - 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 - 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接 - DRAIN DRAIN
元件数量 - 1 1
晶体管应用 - 开关 开关
晶体管元件材料 -
通道类型 - N沟道 N沟道
场效应晶体管技术 - 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 - ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 - 通用电源 通用电源
最大漏电流 - 40 A 40 A
最大漏极导通电阻 - 0.0400 ohm 0.0400 ohm
最大漏电流脉冲 - 160 A 160 A

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