40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknow |
Base Number Matches | 1 |
2SK2912 | 2SK2912S | 2SK2912L | |
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描述 | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
端子数量 | - | 3 | 3 |
最小击穿电压 | - | 60 V | 60 V |
加工封装描述 | - | LDPAK-3 | LDPAK-3 |
状态 | - | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | - | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | - | IN-线 | IN-线 |
端子形式 | - | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | - | 锡 铅 | 锡 铅 |
端子位置 | - | 单一的 | 单一的 |
包装材料 | - | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | - | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | - | DRAIN | DRAIN |
元件数量 | - | 1 | 1 |
晶体管应用 | - | 开关 | 开关 |
晶体管元件材料 | - | 硅 | 硅 |
通道类型 | - | N沟道 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | - | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | - | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | - | 通用电源 | 通用电源 |
最大漏电流 | - | 40 A | 40 A |
最大漏极导通电阻 | - | 0.0400 ohm | 0.0400 ohm |
最大漏电流脉冲 | - | 160 A | 160 A |
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