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RN2410(TE85R2)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小323KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN2410(TE85R2)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2410(TE85R2)规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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RN2410,RN2411
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2410, RN2411
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1410, RN1411
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characterisstic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−100
200
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
TO-236MOD
EIAJ
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012g
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Translation frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN2410
RN2411
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50
V, I
E
= 0
V
EB
=
−5
V, I
C
= 0
V
CE
=
−5
V, I
C
=
−1
mA
I
C
=
−5
mA, I
B
=
−0.25
mA
V
CE
=
−10
V, I
C
=
−5
mA
V
CB
=
−10
V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Min
120
3.29
7
Typ.
−0.1
200
3
4.7
10
Max
−100
−100
400
−0.3
6
6.11
13
Unit
nA
nA
V
MHz
pF
kΩ
1
2006-03-14

RN2410(TE85R2)相似产品对比

RN2410(TE85R2) RN2410(TE85R) RN2410(TE85L) RN2410(TE85L2)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 120 120 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
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