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CY2148-45DMB

产品描述Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, PDIP18, DIP-18
产品类别存储    存储   
文件大小302KB,共6页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY2148-45DMB概述

Standard SRAM, 1KX4, 45ns, CMOS, PDIP18, DIP-18

CY2148-45DMB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间45 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22.606 mm
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1
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