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SBR850

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小51KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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SBR850概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon,

SBR850规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
SCI模块的特点如下(通过相应的寄存器可以对这些功能进行设置)
[size=4][color=#000000](1)2个外部引脚:SCITXD为SCI数据发送引脚;SCIRXD为SCI数据接收引脚。两个引脚为多功能复用引脚,如果不使用可以作为通用数字量I/O。[/color][/size][size=4][color=#000000][/color][/size][size=4][color=#000000](2)可编程通信速率,可以设置64K种通信速率。[/...
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