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M45PE80-VMP6TP

产品描述1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小235KB,共47页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M45PE80-VMP6TP概述

1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8

1M × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, PDSO8

M45PE80-VMP6TP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明VSON, SOLCC8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)33 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XDSO-N8
长度6 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度5 mm
最长写入周期时间 (tWC)25 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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