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RN1108F

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小304KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1108F概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1108F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
Base Number Matches1

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RN1107F~RN1109F
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1107F,RN1108F,RN1109F
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2107F~2109F
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1107F
RN1108F
RN1109F
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
2-2HA1A
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1107F~1109F
RN1107F~1109F
RN1107F
Emitter-base voltage
RN1108F
RN1109F
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1107F~1109F
RN1107F~1109F
RN1107F~1109F
RN1107F~1109F
I
c
P
c
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
100
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
1
2001-06-07

RN1108F相似产品对比

RN1108F RN1107F RN1109F
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2HA1A, ESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.5
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 80 80 70
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 250 MHz
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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