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RT1N434U

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA SUPER MINI PACKAGE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小163KB,共1页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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RT1N434U概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRA SUPER MINI PACKAGE

RT1N434U规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
元件数量1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1
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