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HYM71V8M755HCFU6-S

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144
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文件大小200KB,共14页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYM71V8M755HCFU6-S概述

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144

HYM71V8M755HCFU6-S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM144,20
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
JESD-609代码e4
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HYM71V8M755HCFU6-S相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, MICRO, SODIMM-144
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM144,20 DIMM, DIMM144,20 DIMM, DIMM144,20 DIMM, DIMM144,20 DIMM, DIMM144,20
针数 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72 8MX72 8MX72 8MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,20 DIMM144,20 DIMM144,20 DIMM144,20 DIMM144,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA 0.8 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 20 20 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 SK Hynix(海力士) - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)

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