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M54HC374K1

产品描述RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小186KB,共11页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M54HC374K1概述

RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING

M54HC374K1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL20,.4
针数20
Reach Compliance Code_compli
系列HC/UH
JESD-30 代码S-CDFP-F20
JESD-609代码e0
长度10.16 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型BUS DRIVER
最大频率@ Nom-Su21000000 Hz
最大I(ol)0.006 A
位数8
功能数量1
端口数量2
端子数量20
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL20,.4
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
最大电源电流(ICC)0.08 mA
传播延迟(tpd)285 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.33 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度10.16 mm

M54HC374K1相似产品对比

M54HC374K1 M54HC374 M54HC374D M54HC374K M54HC374D1
描述 RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING RAD-HARD OCTAL D-TYPE FLIP FLOP WITH 3 STATE OUTPUT NON INVERTING
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) - - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DFP - DIP DFP DIP
包装说明 DFP, FL20,.4 - DIP, DIP20,.3 DFP, FL20,.4 DIP, DIP20,.3
针数 20 - 20 20 20
Reach Compliance Code _compli - _compli _compli _compli
系列 HC/UH - HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 S-CDFP-F20 - R-CDIP-T20 S-CDFP-F20 R-CDIP-T20
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 10.16 mm - 25.4 mm 10.16 mm 25.4 mm
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 BUS DRIVER - BUS DRIVER BUS DRIVER BUS DRIVER
最大频率@ Nom-Su 21000000 Hz - 21000000 Hz 21000000 Hz 21000000 Hz
最大I(ol) 0.006 A - 0.006 A 0.006 A 0.006 A
位数 8 - 8 8 8
功能数量 1 - 1 1 1
端口数量 2 - 2 2 2
端子数量 20 - 20 20 20
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE - TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP - DIP DFP DIP
封装等效代码 FL20,.4 - DIP20,.3 FL20,.4 DIP20,.3
封装形状 SQUARE - RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK - IN-LINE FLATPACK IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V - 2/6 V 2/6 V 2/6 V
最大电源电流(ICC) 0.08 mA - 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
传播延迟(tpd) 285 ns - 285 ns 285 ns 285 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.33 mm - 3.86 mm 2.33 mm 3.86 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V - 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V - 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
表面贴装 YES - NO YES NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT - THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 50k Rad(Si) V - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
触发器类型 POSITIVE EDGE - POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
宽度 10.16 mm - 7.62 mm 10.16 mm 7.62 mm

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