SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1,SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1 pdf中文资料,SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1引脚图,SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1电路-Datasheet-电子工程世界

电子工程世界电子工程世界

Datasheet

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1

SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1: 产品描述FLASH 1.8V PROM; 产品类别存储存储; 文件大小381KB，共35页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1概述

FLASH 1.8V PROM

SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	TFBGA,
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	1.8 V
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1相似产品对比

	SST39WF1601-70-4I-B3KE-MQ1	SST39WF1602-70-4I-B3KE-MQ2	SST39WF1602-70-4I-MAQE-MQ2	SST39WF1602-70-4I-B3KE-MQ2-T	SST39WF1602-70-4I-MAQE-MQ2-T
描述	FLASH 1.8V PROM	FLASH 1.8V PROM	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48	IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX16,CMOS,BGA,48PIN,PLASTIC	Flash, 1MX16, 70ns, PBGA48
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
内存密度	16777216 bit	16777216 bi	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16
端子数量	48	48	48	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	VFBGA	FBGA	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	-
包装说明	TFBGA,	TFBGA-48	VFBGA,	-	WFBGA-48
长度	8 mm	8 mm	6 mm	-	6 mm
功能数量	1	1	1	-	1
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
编程电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V
筛选级别	AEC-Q100	AEC-Q100	-	AEC-Q100	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	0.73 mm	-	0.73 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	-	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	-	1.65 V
宽度	6 mm	6 mm	4 mm	-	4 mm
厂商名称	-	Microchip(微芯科技)	-	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多