K4S513233C-MP1H,K4S513233C-MP1H pdf中文资料,K4S513233C-MP1H引脚图,K4S513233C-MP1H电路-Datasheet-电子工程世界

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K4S513233C-MP1H: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小65KB，共8页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4S513233C-MP1H概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

K4S513233C-MP1H规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
长度	15.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0015 A
最大压摆率	0.33 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9.5 mm
Base Number Matches	1

K4S513233C-MP1H相似产品对比

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描述	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90	90	90	90	90	90	90	90	90
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	6 ns	6 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	125 MHz	125 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	125 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm	15.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90	90	90	90	90	90
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-40 °C	-25 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A
最大压摆率	0.33 mA	0.35 mA	0.35 mA	0.3 mA	0.33 mA	0.3 mA	0.33 mA	0.3 mA	0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm	9.5 mm
厂商名称	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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