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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M58LT256JSB8ZA6T
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M58LT256JSB8ZA6T

产品描述16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64
产品类别存储    存储   
文件大小22KB，共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

M58LT256JSB8ZA6T概述

16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64

16M × 16 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, PBGA64

M58LT256JSB8ZA6T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64
针数64
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间85 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B64
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模4,255
端子数量64
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA64,8X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小8 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）240
电源1.8,3/3.3 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,64K
最大待机电流0.00011 A
最大压摆率0.077 mA
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL EXTENDED
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度10 mm
Base Number Matches1

M58LT256JSB8ZA6T相似产品对比

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描述 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, PBGA64
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64
组织 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16MX16 16M X 16 16MX16 16MX16 16MX16 16M X 16
表面贴装 YES YES YES YES YES Yes YES YES YES Yes
温度等级 COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED INDUSTRIAL COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED COMMERCIAL EXTENDED INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合 不符合 - 符合 符合 不符合 -
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) -
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA - BGA BGA BGA -
包装说明 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 - 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 -
针数 64 64 64 64 64 - 64 64 64 -
Reach Compliance Code _compli _compli compli compli _compli - compli compli _compli -
ECCN代码 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A - 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A 3A991.B.1.A -
最长访问时间 85 ns 85 ns 85 ns 85 ns 85 ns - 85 ns 85 ns 85 ns -
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE - SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE -
启动块 BOTTOM TOP TOP TOP TOP - BOTTOM BOTTOM BOTTOM -
命令用户界面 YES YES YES YES YES - YES YES YES -
通用闪存接口 YES YES YES YES YES - YES YES YES -
数据轮询 NO NO NO NO NO - NO NO NO -
JESD-30 代码 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 - R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 -
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm - 13 mm 13 mm 13 mm -
内存密度 268435456 bi 268435456 bi 268435456 bi 268435456 bi 268435456 bi - 268435456 bi 268435456 bi 268435456 bi -
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH - FLASH FLASH FLASH -
部门数/规模 4,255 4,255 4,255 4,255 4,255 - 4,255 4,255 4,255 -
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words - 16777216 words 16777216 words 16777216 words -
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 - 16000000 16000000 16000000 -
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C - -25 °C -25 °C -25 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 TBGA TBGA TBGA TBGA TBGA - TBGA TBGA TBGA -
封装等效代码 BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 - BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 BGA64,8X8,40 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE - GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE -
页面大小 8 words 8 words 8 words 8 words 8 words - 8 words 8 words 8 words -
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL -
峰值回流温度（摄氏度） 240 240 260 260 240 - 260 260 240 -
电源 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V - 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V 1.8,3/3.3 V -
编程电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm -
部门规模 16K,64K 16K,64K 16K,64K 16K,64K 16K,64K - 16K,64K 16K,64K 16K,64K -
最大待机电流 0.00011 A 0.00011 A 0.00011 A 0.00011 A 0.00011 A - 0.00011 A 0.00011 A 0.00011 A -
最大压摆率 0.077 mA 0.077 mA 0.077 mA 0.077 mA 0.077 mA - 0.077 mA 0.077 mA 0.077 mA -
最大供电电压 (Vsup) 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V - 2 V 2 V 2 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS -
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40 40 30 - 40 40 30 -
切换位 NO NO NO NO NO - NO NO NO -
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE -
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm - 10 mm 10 mm 10 mm -

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