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DS1235YW150

产品描述Memory IC,
产品类别存储    存储   
文件大小511KB,共7页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1235YW150概述

Memory IC,

DS1235YW150规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级Commercial
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

DS1235YW150相似产品对比

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描述 Memory IC, Memory IC, Memory IC, Memory IC, Memory IC, Memory IC, Memory IC, Memory IC,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
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