电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

71V3579YSA80BGG8

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119
产品类别存储    存储   
文件大小237KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
下载文档 详细参数 全文预览

71V3579YSA80BGG8概述

Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119

71V3579YSA80BGG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间8 ns
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e1
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

推荐资源

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 488  779  842  1101  1361 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved