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IDT70V9369L7PRF

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
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文件大小205KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V9369L7PRF概述

Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT70V9369L7PRF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数128
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间7.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度294912 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量128
字数16384 words
字数代码16000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT70V9369L7PRF相似产品对比

IDT70V9369L7PRF IDT70V9369L12PFG IDT70V9369L7PFG IDT70V9369L7PFGI IDT70V9369L6PRF IDT70V9369L7PRFI IDT70V9369L9PRF IDT70V9369L12PRF
描述 Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, LQFP, LQFP, LQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP,
针数 128 100 100 100 128 128 128 128
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 7.5 ns 12 ns 7.5 ns 7.5 ns 6.5 ns 7.5 ns 9 ns 12 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PQFP-G128 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e0 e3 e3 e3 e0 e0 e0 e0
长度 22 mm 20 mm 20 mm 20 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit 294912 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 128 100 100 100 128 128 128 128
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18 16KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LQFP LQFP LQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 260 260 240 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 30 30 30 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - -
厂商名称 - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)

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