IDT70V9369L7PRFI,IDT70V9369L7PRFI pdf中文资料,IDT70V9369L7PRFI引脚图,IDT70V9369L7PRFI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V9369L7PRFI: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128; 产品类别存储; 文件大小205KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V9369L7PRFI概述

Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT70V9369L7PRFI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP,
针数	128
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
Is Samacsys	N
最长访问时间	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0
长度	22 mm
内存密度	294912 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	128
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT70V9369L7PRFI相似产品对比

	IDT70V9369L7PRFI	IDT70V9369L12PFG	IDT70V9369L7PFG	IDT70V9369L7PFGI	IDT70V9369L6PRF	IDT70V9369L7PRF	IDT70V9369L9PRF	IDT70V9369L12PRF
描述	Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 16KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 16KX18, 9ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 16KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LFQFP,	LQFP,	LQFP,	LQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,	LFQFP,
针数	128	100	100	100	128	128	128	128
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	7.5 ns	12 ns	7.5 ns	7.5 ns	6.5 ns	7.5 ns	9 ns	12 ns
其他特性	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0	e3	e3	e3	e0	e0	e0	e0
长度	22 mm	20 mm	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit	294912 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	128	100	100	100	128	128	128	128
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX18	16KX18	16KX18	16KX18	16KX18	16KX18	16KX18	16KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	260	260	240	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	30	30	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

IDT70V9369L7PRFI

IDT70V9369L7PRFI概述

IDT70V9369L7PRFI规格参数

IDT70V9369L7PRFI相似产品对比

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