Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE

文档预览

CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE: 产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小636KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.28 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
表面贴装	YES
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CTLDM7003T-M563D

SURFACE MOUNT

DUAL, N-CHANNEL

ENHANCEMENT-MODE

SILICON MOSFETS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM7003T-

M563D is a Dual N-channel MOSFET packaged in

a space saving 1.6 x 1.6mm TLM™ surface mount

package. This device is a TLM™ equivalent of the

popular CMLDM7003T, SOT-563 device, featuring

enhanced thermal characteristics, a package footprint

compatible with standard SOT-563 mounting pad

geometries, and a height profile of only 0.4mm.

MARKING CODE: CJA

FEATURES:

• ESD protection up to 2kV

• Dual MOSFETs

• Low rDS(ON) (1.6Ω TYP @ VGS=1.8V)

• TLM563D with a package profile of 0.4mm, compatible with

SOT-563 mounting geometries

SYMBOL

VDS

VDG

VGS

IDM

TJ, Tstg

280

1.5

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

UNITS

μA

1.2

1.4

1.6

1.3

1.1

200

5.0

2.3

1.9

1.5

TLM563D CASE

• Device is

Halogen Free

by design

APPLICATIONS:

• Load Power Switches

• DC/DC Converters

• Battery powered devices including Cell Phones,

PDAs, Digital Cameras, MP3 Players, etc.

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Maximum Pulsed Drain Current

Power Dissipation (Note 1)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance (Note 1)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

IGSSF, IGSSR

VGS=5.0V, VDS=0

IGSSF, IGSSR

IDSS

BVDSS

VGS(th)

VSD

rDS(ON)

gFS

Crss

Ciss

Coss

VGS=10V, VDS=0

VGS=12V, VDS=0

VDS=50V, VGS=0

VGS=0, ID=10μA

VDS=10V, ID=250μA

VGS=0, IS=115mA

VGS=1.8V, ID=50mA

VGS=2.5V, ID=50mA

VGS=5.0V, ID=50mA

VDS=10V, ID=200mA

VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz

0.75

0.5

1.0

Notes: (1) Mounted on 2 inch square FR4 PCB with copper mounting pad area of 1.8mm

R1 (17-February 2010)

CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE相似产品对比

	CTLDM7003T-M563DTRLEADFREE	CTLDM7003T-M563DTR	CTLDM7003T-M563DTRPBFREE
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.60 X 1.60 MM PACKAGE-6	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证	符合	不符合	符合
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.28 A	0.28 A	0.28 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W
表面贴装	YES	YES	YES
Base Number Matches	1	1	1

推荐资源

帮老板找一款ＤＳＰ，要求能在上面进行图象处理的集硬件软件一起的开发平台．: 大致要求为：　　硬件方面平台要有配备的摄象头；　　软件方面要有较好的开发平台（如ccs）并要有完整的关于图象处理的开发包可供调用．让开发人员即使不懂硬件也能在此平台上进行图象处理 ......; chennan 嵌入式系统

无线数传模块的使用: 小弟近日需要购买一个无线数传模块，用来传GPS差分站信号，但是看了好多无线数传模块，发现好多都号称“智能数据控制，用户无需编制多余的程序，即使是半双工通信，用户也无需编制多余的程序， ......; jasenmax 嵌入式系统

请教有关ALTIUM DESIGNER的PDF说明文档。: 电脑有时候不能上网，所以查看一些功能的时候会很麻烦，想把这些选项改为可以在本地查看的PDF。请教怎么更改。 36412...; lzcqust PCB设计

2553串口波特率问题求助: 我设置的时钟是1MHz，波特率为38400，但是发出去的数据收回来全是一些莫名其妙的汉字，这个要怎么办？...; 飞扬跋扈微控制器 MCU

STM32F205单片机通过FSMC 读写铁电存储器 FM22L16 数据发生偏移: STM32F205单片机通过FSMC 读写铁电存储器 FM22L16，当我直接运行程序，先在一个开始的地址那里把一定长度的数据写进存储器，然后再在同样的地址处，读取同样的长度的数据，下载，运行，写进去的 ......; mo_正_pei stm32/stm8

【玩转LaunchPad】通信接口实验: 本系列文档特别感谢坛友wstt、david_lee、cat3902982、sugerlatu、zhangdaoyu等朋友的大力支持下，他们花费了很多时间和精力，将坛子里的资料进行了规整、总结，没有他们的付出，就不会有本教程 ......; EEWORLD社区微控制器 MCU

几种不同WiMAX无线环境下接入软交换IAD性能测试

　　WiMAX技术作为无线宽带城域网标准，在非视距传输及频谱利用效率方面较以前的3.5GHzMMDS产品具有较大优势。而作为下一代网络的核心之一，基于IP网络的软交换技术在综合业务接入、QoS等级保证方面也已经非常成熟，即将替代现有的PSTN设备。本文通过介绍几种不同WiMAX无线环境下接入软交换IAD性能测试的结果，为运营商“最后一公里”的综合业务接入提供一种灵活、便捷的解决方案。　　为...[详细]
一种手持公交收费及信息统计装置的设计与实现

目前城市的交通拥堵现象比较严重。据有关新闻报道：在我国，交通拥堵现象己经从北京、上海、广州等特大城市扩展到一些大中城市：由城市内部局部的“点”拥堵，扩展成局部的“面”拥堵。在居民出行的早晚高峰时，拥堵现象更为明显，城市道路处于明显的饱和状态。据有关部门统计，我国因城市交通的不便，造成的经济损失每年都能达上千亿元。世界各国都非常重视公共交通的发展在解决城市交通拥挤问题上的作用，公交优先的原则也已成...[详细]
通过示波器探头响应改善MIPI设计裕量

移动行业处理器接口(MIPI)联盟是负责推广移动设备软硬件标准化的组织。它已经发布了D-PHY规范，该规范可在芯片与设备之间的通信链路上实现高达1.5Gbps(1,500,000,000比特/秒)的数据传输率。MIPI联盟还计划在近期发布M-PHY规范，进一步提高数据传输率，达到大约6Gbps的水平。随着需要更高数据吞吐量的移动应用和特性不断出现，对传输速率的要求也相应提高。这些应用和特性包...[详细]
不到1300元山寨Galaxy S III更多细节曝光

三星刚出的旗舰新机Galaxy S III固然不错，但是高昂的价格不是每个人都能承受的起。昨天我们报道了一部山寨版的i9300，而现在该机价格和具体配置已经全部出炉。　　这款山寨的Galaxy S III名叫HDC Galaxy S3，其外形甚至UI界面都与原型机异常相似。该机的三围为138×70×9.2mm，配备了一块4.7寸触摸屏，分辨率只有800×480像素。　　该机还搭载了...[详细]
基于IRS2530D的4级智能可调光荧光灯电子镇流器电路设计

　　 1 关于IRS2530D和PIC12F629 　　1）IRS2530D简介　　IRS2530D采用8引脚 DIP 或8引脚 SOIC 封装，IRS2530D的引脚图如图1所示， IRS2130D 的外形封装图如图2所示，IRS2530D的内部功能框图如图3所示，IRS2530D的引脚功能如表1所示。图1 IRS2530D的引脚图图2 ...[详细]
汽车电子满意度未如理想七成人仍愿为其付费

　　2011年年末，美国科技博客gigaom.com发表了一篇针对2011年的移动应用市场的回顾和关于2012年移动应用市场发展趋势的展望。文章指出在2012年的时候，语音控制呈爆炸式增长。这个结论主要源于2011年苹果iPhone4S引入的Siri技术，使得语音控制技术成为了业界关注的焦点。并且相信随着客户接受度的提高，到2012年会有更多的公司部署语音界面技术。NuanceCEO迈克·汤普森...[详细]
智能电视标准化有利有弊多终端芯片呈统一趋势

　　从全球来看，智能电视在设备互联接口、内容服务接口、应用程序开发接口、系统安全可信技术等方面的标准尚未统一，厂商采用不同的操作系统和内容接口，各自的应用互不兼容，对产业整体发展造成障碍，在应用丰富度上也很欠缺。近日国内一些家电厂商主办智能电视开发论坛，力图吸引更多的开发者参与进来，从这一点来看，目前还是家电厂商较为主动地在推动智能电视标准化以及各类应用的开发。 TV OS成产业角逐焦点　...[详细]
基于μC/OS-Ⅱ和ARM处理器的高精度超声波测距系统设计

1 引言超声波指向性强，能量消耗缓慢，在介质中传播的距离较远，因而用于距离测量。利用超声波检测往往较迅速、方便、计算简单、易于实时控制，且测量精度能达到工业实用要求，因此在移动机器人的研制中得到广泛应用。移动机器人要在未知和不确定环境下运行，必须具备自动导航和避障功能。超声波传感器以其信息处理简单、速度快和价格低的特点广泛用作移动机器人的测距传感器，实现避障、定位、环境建模和导航等功能。 ...[详细]
PIC单片机C语言程序设计（2）

　　五、C语言的标识符和关键字　　一个完整的PIC单片机C语言程序，通常由包含文件（即头文件1，变量定义、变量说明、函数定义、函数体和注释等六部分等组成。　　1.C语言的标识符　　所谓标识符，实际上是一些由程序编写者自定义的名称，类似于PIC单片机汇编语言中给寄存器（RAM）的命名。C语言中所用到的变量名、函数名、数组名、文件名等都是由标识符组成的。　　标识符是由一串字母（常指英...[详细]
苹果海外现金总量740亿美元超微软和高通之和

北京时间7月11日早间消息，穆迪投资者服务机构(以下简称“穆迪”)发布最新报告称，苹果在美国科技公司中所持有的海外现金总量最高，约为 740亿美元。这一数字超出微软和高通665亿美元的海外现金总量之和。苹果去年12月海外现金总量为640亿美元，2010年底为350亿美元。　　穆迪分析师理查德·莱恩(Richard Lane)在投资者报告中援引美国证券交易委员会(SEC)的监管文件以及穆迪...[详细]
华为收购华赛后首度亮相：整合为两个产品线

7月11日消息，以5.3亿美元收购赛门铁克持有的华赛49%的股权后，原华赛的人员和产品已以新的面目出现，据悉，华赛已成为华为(微博)企业业务群组的一部分，主要构成华为企业业务群组的两个产品线。　　在7月10日的华为一个发布会上，华为宣布推出4款OceanStorT系列存储产品和4款Tecal 服务器，而存储和服务器产品正是之前华赛的主要产品。　　华赛是华为和赛门铁克于2008年在香...[详细]
基于STM32LED书写点阵屏设计与实现

近年来，随着信息产业的高速发展，点阵LED 显示屏已广泛应用于金融行业、邮电行业、体育馆、广告业等各种广告发布和信息显示系统，成为信息传送的重要手段。本文介绍的LED 书写点阵屏，不但可以像普通显示屏一样作为信息输出设备，而且可以通过光笔直接在LED 显示屏上进行信息输入，普通的显示屏也具有"手写"的功能了。 1 硬件系统设计本系统总体框图如图1 所示，由键盘与显示模块、光笔模块、LED ...[详细]
中国应加强动力电池开发并完善交流充电标准

　　在6月26～27日深圳举行的第三届（2012）国际新能源汽车高峰论坛上，北汽福田汽车工程研究院副总工程师李峰分析了动力电池厂商开发时存在的普遍问题：　　①对整车系统及运行工况缺乏了解；②只把动力电池作为孤立的零部件开发；③很少考虑与整车系统之间的相互影响，导致了系统层级的问题；④系统安全设计不足，缺乏FEMA分析，ASIL等级过低。提高动力电池BMS软件能力　　对于市场现有动力电...[详细]
联发科多元布局力争触控IC市场

　　为争抢触控市场，联发科（MTK ）转投资的大陆触控IC厂汇顶已对外发表最新采用单层ITO和多点电容式触控方案，与即将并购的晨星(MStar)互别苗头，亦代表多元布局触控IC市场。　　无论是笔记本电脑、平板电脑或智能手机等终端产品，触控俨然已成标准配备，联发科积极展开布局，去年即不断加码中国大陆触控IC公司汇顶科技，累计投资金额达409万美元（约新台币约1.24亿元），持股比重逾三成。 ...[详细]
印制板的绝缘电阻测试

　　大多数电气产品中都会用到印制板（ PCB ）。如果某块PCB具有低绝缘电阻（IR），则会大大降低印制板上电路的性能。影响印制板表面电阻的因素包括印制板材料、有无涂层（例如防焊漆或保形涂层），以及电路板的清洁。温度和相对湿度也会影响表面电阻。　　为了测试绝缘电阻，会在印制板上制作特殊的测试模板，被称为是样板。电阻典型值范围为107Ω～1016Ω，利用皮安计和电压源测量。测试板通常...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多