NMC27C32BQE200概述

4KX8 UVPROM, 200ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24

NMC27C32BQE200规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DIP
包装说明	WDIP, DIP24,.6
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
其他特性	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
内存密度	32768 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	24
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.969 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

NMC27C32BQE200相似产品对比

	NMC27C32BQE200	NMC27C32BQ150	NMC27C32BQ200	NMC27C32BQ250
描述	4KX8 UVPROM, 200ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24	4KX8 UVPROM, 150ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24	IC 4K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM	IC 4K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	WDIP, DIP24,.6	WDIP, DIP24,.6	WDIP, DIP24,.6	WDIP, DIP24,.6
针数	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	150 ns	200 ns	250 ns
其他特性	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS	TTL/CMOS COMPATIBLE INPUT & OUTPUT LEVELS
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	32768 bit	32768 bit	32768 bit	32768 bit
内存集成电路类型	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX8	4KX8	4KX8	4KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装等效代码	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.969 mm	5.969 mm	5.969 mm	5.969 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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