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RS1GTR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小312KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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RS1GTR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN

RS1GTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散1.25 W
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RS1A-RS1M
Technical Data
Data Sheet N0988, Rev. B
RS1A-RS1M SURFACE
MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Features
Fast switching for high efficiency
Low Power Loss,High Efficiency
High current capability
Low reverse leakage
For Use in Low Voltage Application
Plastic Case Material has UL Flammability Classication
Rating 94V-0
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
SMA
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: SMA molded plastic body
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.06 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Type Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average forward rectified output current
@T
L
= 100°C
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
@I
F
=1.0A
Peak Reverse Current
@T
A
= 25°C
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
= 125°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
V
RMS
I
O
RS1A RS1B RS1D RS1G
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
1.25
10
I
FSM
V
F
I
RM
Trr
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
150
7
100
32
-55 to +150
30
1.3
5.0
200
250
500
RS1J
600
420
RS1K RS1M
800
560
1000
700
Units
V
V
A
W
mW/°C
A
V
µA
ns
pF
°C/W
°C
Note: 1. Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3. Device mounted on FR-4 substrate, 1"*1", 2oz, single-sided, PC boards with 0.1"*0.15" copper pad.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

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RS1GTR
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SMA, 2 PIN
是否Rohs认证 符合
包装说明 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant
其他特性 LOW POWER LOSS
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-C2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
最大功率耗散 1.25 W
最大重复峰值反向电压 400 V
最大反向恢复时间 0.15 µs
表面贴装 YES
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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